高增益的紫外雪崩探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710453903.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107275435B 公開（公告）日 2019-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN107275435B 申請(qǐng)公布日 2019-04-09
分類號(hào) H01L31/107（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張翼; 陳勘; 楊路華; 李培咸; 廉大楨 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安中為光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京鼎宏元正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 西安中為光電科技有限公司
地址 710000 陜西省西安市電子城電子西街3號(hào)201號(hào)廠房二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高增益的紫外雪崩探測(cè)器，包括藍(lán)寶石襯底，藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)有外延層，i型AlyGa1?yN吸收層上設(shè)置有N型歐姆接觸電極和ITO分離層，ITO分離層上設(shè)置有SiO2倍增層，SiO2倍增層設(shè)置有Ni/Au肖特基接觸層，Ni/Au肖特基接觸層上還設(shè)置有P型歐姆接觸電極；本發(fā)明的有益效果是：通過一種全新的高增益的紫外雪崩探測(cè)器制作方法，經(jīng)過精確的膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)器件擊穿電壓、響應(yīng)度、增益因子、暗電流等參數(shù)的可調(diào)可控，還具有基礎(chǔ)的外延片可根據(jù)不同的設(shè)計(jì)指標(biāo)重復(fù)使用的特點(diǎn)。