提高紫外LED紫外光純度的結(jié)構(gòu)及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610044270.1 申請日 -
公開（公告）號 CN105449063B 公開（公告）日 2017-11-14
申請公布號 CN105449063B 申請公布日 2017-11-14
分類號 H01L33/32(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王旭明;李培咸;孟錫俊;黃兆斌;陳勘;廉大楨 申請（專利權(quán)）人 西安中為光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京鼎宏元正知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 西安中為光電科技有限公司
地址 710065 陜西省西安市電子城電子西街3號201號廠房二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高紫外LED紫外光純度的結(jié)構(gòu)，包括Mg摻雜氮化鎵層、活性層、高純度不摻雜氮化鎵層、Si摻雜GaN層、緩沖層和襯，其中，所述緩沖層生長在所述襯底上部；所述Si摻雜GaN層生長在所述緩沖層上部；所述活性層生長在所述高純度不摻雜氮化鎵層上部；所述Mg摻雜氮化鎵層生長在所述活性層上部。本發(fā)明所述提高紫外LED紫外光純度的結(jié)構(gòu)及其方法通過引入高純度不摻雜的氮化鎵層，降低活性層中Mg元素的濃度，進(jìn)而降低紫外LED中藍(lán)色光的發(fā)光強(qiáng)度，提高紫外LED的紫外光純度。