高增益的紫外雪崩探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710453903.9 申請日 -
公開（公告）號 CN107275435A 公開（公告）日 2017-10-20
申請公布號 CN107275435A 申請公布日 2017-10-20
分類號 H01L31/107(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張翼;陳勘;楊路華;李培咸;廉大楨 申請（專利權）人 西安中為光電科技有限公司
代理機構 北京鼎宏元正知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 西安中為光電科技有限公司
地址 710000 陜西省西安市電子城電子西街3號201號廠房二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高增益的紫外雪崩探測器，包括藍寶石襯底，藍寶石襯底上生長有外延層，i型AlyGa1?yN吸收層上設置有N型歐姆接觸電極和ITO分離層，ITO分離層上設置有SiO2倍增層，SiO2倍增層設置有Ni/Au肖特基接觸層，Ni/Au肖特基接觸層上還設置有P型歐姆接觸電極；本發(fā)明的有益效果是：通過一種全新的高增益的紫外雪崩探測器制作方法，經過精確的膜層結構設計，實現器件擊穿電壓、響應度、增益因子、暗電流等參數的可調可控，還具有基礎的外延片可根據不同的設計指標重復使用的特點。