一種隱形切割和背鍍LED芯片的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710081998.6 申請日 -
公開（公告）號 CN106784200B 公開（公告）日 2018-10-19
申請公布號 CN106784200B 申請公布日 2018-10-19
分類號 H01L33/00;H01L33/22;H01L33/46 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊路華;陳勘;閆秋迎;魏萍 申請（專利權(quán)）人 西安中為光電科技有限公司
代理機構(gòu) 北京鼎宏元正知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 西安中為光電科技有限公司
地址 710000 陜西省西安市電子城電子西街3號201號廠房二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體加工領(lǐng)域，公開了一種隱形切割和背鍍LED芯片的制作方法，其技術(shù)要點是：通過對晶圓進行化學拋光、生長粘附層、貼膜、隱形切割、翻轉(zhuǎn)、背鍍金屬反射層和裂片，最終制得LED芯片，其中隱形切割時將晶圓和白膜粘接使隱形切割過程中因激光燒灼，藍寶石襯底氣化膨脹產(chǎn)生的雜質(zhì)不會大面積噴在晶圓背面，只會存在于裂紋中，降低了背面污染，從而降低背鍍層脫落幾率，通過在藍寶石襯底上生長粘附層，降低背鍍層脫落概率由原先的20%降低至0.5%，部分光會在交界出形成全發(fā)射，一定程度上提高LED的出光效率，提升效果在10%左右。這種方法解決了現(xiàn)有隱形切割與背鍍工藝中反射層脫落率高，LED發(fā)光效率不理想的問題。