復(fù)合電流擴(kuò)展層及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710676698.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN107492570B | 公開(kāi)（公告）日 | 2017-12-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107492570B | 申請(qǐng)公布日 | 2017-12-19 |
| 分類號(hào) | H01L29/778(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 孟錫俊;張翼;陳勘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西安中為光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都市鼎宏恒業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 西安中為光電科技有限公司 |
| 地址 | 710000陜西省西安市電子城電子西街3號(hào)201號(hào)廠房二層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)合電流擴(kuò)展層及其制作方法，屬一種電流擴(kuò)展層的制作方法，所述電流擴(kuò)展層包括由下至上設(shè)置的底層隔離層、GaN電流擴(kuò)展層、異質(zhì)結(jié)隔離層與AlGaN勢(shì)壘層；通過(guò)多層復(fù)合而成的電流擴(kuò)展層，異質(zhì)結(jié)高遷移率二維電子或空穴氣電流擴(kuò)展層，利用該高遷移率的二維電子或空穴氣層，可將電流更加有效的擴(kuò)展開(kāi)，消除電流擁堵嚴(yán)重的問(wèn)題，提高芯片可靠性，降低芯片的Droop效應(yīng)；同時(shí)本發(fā)明所提供的一種復(fù)合電流擴(kuò)展層結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，適于在各類芯片上生長(zhǎng)使用，應(yīng)用范圍廣闊。?? |
