晶體生長速度檢測方法、控制方法及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310455698.1 申請日 -
公開（公告）號 CN104514030B 公開（公告）日 2017-01-04
申請公布號 CN104514030B 申請公布日 2017-01-04
分類號 C30B11/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐永亮;廖永建;吳智洪;于海群 申請（專利權(quán)）人 上海昀豐新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 內(nèi)蒙古恒嘉晶體材料有限公司
地址 015000 內(nèi)蒙古自治區(qū)巴彥淖爾經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)富源北路1號管委會大樓112室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開的晶體生長速度檢測方法包括以下步驟：分別檢測第一時刻和第二時刻坩堝內(nèi)熔體液面的高度，得到熔體液面的高度變化值；根據(jù)公式 <mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>g</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>&rho;</mi> <mi>m</mi> </msub> <mo>*</mo> <msub> <mi>k</mi> <mn>1</mn> </msub> <mo>*</mo> <mi>S</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>H</mi> <msub> <mi>t</mi> <mn>2</mn> </msub> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>H</mi> <msub> <mi>t</mi> <mn>1</mn> </msub> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>&rho;</mi> <mi>m</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>&rho;</mi> <mi>s</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>*</mo> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>t</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>t</mi> <mn>1</mn> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>*</mo> <msub> <mi>k</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>*</mo> <msub> <mi>S</mi> <mi>g</mi> </msub> </mrow> </mfrac> </mrow>計算晶體界面生長速度；或者根據(jù)公式 <mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>m</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>&rho;</mi> <mi>s</mi> </msub> <mo>*</mo> <msub> <mi>&rho;</mi> <mi>m</mi> </msub> <mo>*</mo> <msub> <mi>k</mi> <mn>1</mn> </msub> <mo>*</mo> <mi>S</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>H</mi> <msub> <mi>t</mi> <mn>2</mn> </msub> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>H</mi> <msub> <mi>t</mi> <mn>1</mn> </msub> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>&rho;</mi> <mi>m</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>&rho;</mi> <mi>s</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>*</mo> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>t</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>t</mi> <mn>1</mn> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> </mrow>計算晶體重量生長速度。上述方案相比于背景技術(shù)所述的通過探測棒直接伸入到晶體界面，通過檢測晶體界面的推進(jìn)計算晶體生長速度而言，能夠避免探測棒與晶體界面處的接觸，進(jìn)而避免對晶體界面處熔體的影響，最終能夠提高晶體質(zhì)量及晶體生長的穩(wěn)定性。本發(fā)明還公開了一種晶體生長速度檢測系統(tǒng)?；谏鲜鼍w生長速度檢測方法及系統(tǒng)，本發(fā)明還公開了一種晶體生長速度控制方法及系統(tǒng)。