一種氮化鋁晶體生長制備爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210576766.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103014867B 公開（公告）日 2016-04-06
申請公布號 CN103014867B 申請公布日 2016-04-06
分類號 C30B29/38(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐永亮;施海斌;張國華 申請（專利權(quán)）人 上海昀豐新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海昀豐新能源科技有限公司;內(nèi)蒙古恒嘉晶體材料有限公司
地址 201315 上海市浦東新區(qū)康橋鎮(zhèn)康意路499號2幢A座5545室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮化鋁晶體生長制備爐，包括保溫裝置和內(nèi)部的筒狀帶底加熱裝置，并且還包括由所述氮化鋁晶體生長制備爐底部穿入所述筒狀帶底加熱裝置內(nèi)部的坩堝升降軸，所述坩堝升降軸與所述筒狀帶底加熱裝置同軸，并可帶動安裝在其端部的坩堝下部暴露于筒狀帶底加熱裝置之外。由于本發(fā)明所提供的氮化鋁晶體生長制備爐增加了坩堝升降軸，從而實(shí)現(xiàn)了在氮化鋁晶體生長之前對氮化鋁晶體生長位置的雜質(zhì)預(yù)先清除，進(jìn)而顯著減少了氮化鋁晶體的雜質(zhì)含量，提高了氮化鋁晶體的純度。