一種氮化鋁晶體生長(zhǎng)制備爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210576766.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103014867B 公開(kāi)（公告）日 2016-04-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN103014867B 申請(qǐng)公布日 2016-04-06
分類(lèi)號(hào) C30B29/38(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 徐永亮;施海斌;張國(guó)華 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海昀豐新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海昀豐新能源科技有限公司;內(nèi)蒙古恒嘉晶體材料有限公司
地址 201315 上海市浦東新區(qū)康橋鎮(zhèn)康意路499號(hào)2幢A座5545室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種氮化鋁晶體生長(zhǎng)制備爐，包括保溫裝置和內(nèi)部的筒狀帶底加熱裝置，并且還包括由所述氮化鋁晶體生長(zhǎng)制備爐底部穿入所述筒狀帶底加熱裝置內(nèi)部的坩堝升降軸，所述坩堝升降軸與所述筒狀帶底加熱裝置同軸，并可帶動(dòng)安裝在其端部的坩堝下部暴露于筒狀帶底加熱裝置之外。由于本發(fā)明所提供的氮化鋁晶體生長(zhǎng)制備爐增加了坩堝升降軸，從而實(shí)現(xiàn)了在氮化鋁晶體生長(zhǎng)之前對(duì)氮化鋁晶體生長(zhǎng)位置的雜質(zhì)預(yù)先清除，進(jìn)而顯著減少了氮化鋁晶體的雜質(zhì)含量，提高了氮化鋁晶體的純度。