晶體生長速度檢測方法、控制方法及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310455698.1 申請日 -
公開（公告）號 CN104514030A 公開（公告）日 2015-04-15
申請公布號 CN104514030A 申請公布日 2015-04-15
分類號 C30B11/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐永亮;廖永建;吳智洪;于海群 申請（專利權）人 上海昀豐新能源科技有限公司
代理機構 北京弘權知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 上海昀豐新能源科技有限公司;內(nèi)蒙古恒嘉晶體材料有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)丹桂路799號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開的晶體生長速度檢測方法包括以下步驟：分別檢測第一時刻和第二時刻坩堝內(nèi)熔體液面的高度，得到熔體液面的高度變化值；根據(jù)公式計算晶體界面生長速度；或者根據(jù)公式計算晶體重量生長速度。上述方案相比于背景技術所述的通過探測棒直接伸入到晶體界面，通過檢測晶體界面的推進計算晶體生長速度而言，能夠避免探測棒與晶體界面處的接觸，進而避免對晶體界面處熔體的影響，最終能夠提高晶體質(zhì)量及晶體生長的穩(wěn)定性。本發(fā)明還公開了一種晶體生長速度檢測系統(tǒng)?；谏鲜鼍w生長速度檢測方法及系統(tǒng)，本發(fā)明還公開了一種晶體生長速度控制方法及系統(tǒng)。