晶體生長(zhǎng)速度檢測(cè)方法、控制方法及系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201310455698.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN104514030A | 公開(kāi)（公告）日 | 2015-04-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN104514030A | 申請(qǐng)公布日 | 2015-04-15 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B11/00(2006.01)I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 徐永亮;廖永建;吳智洪;于海群 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海昀豐新能源科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海昀豐新能源科技有限公司;內(nèi)蒙古恒嘉晶體材料有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)丹桂路799號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)的晶體生長(zhǎng)速度檢測(cè)方法包括以下步驟：分別檢測(cè)第一時(shí)刻和第二時(shí)刻坩堝內(nèi)熔體液面的高度，得到熔體液面的高度變化值；根據(jù)公式 |
