一種基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010237300.3 申請日 -
公開（公告）號 CN101964272B 公開（公告）日 2012-09-26
申請公布號 CN101964272B 申請公布日 2012-09-26
分類號 H01H35/34(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王善慈;張謙;張寶元;藺廣恒;王焱秋;蔡軒然 申請（專利權(quán)）人 南京曼加里電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 殷紅梅
地址 214071 江蘇省無錫市濱湖區(qū)百合花園A31幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)。其包括底座及管帽；管帽上設(shè)有引壓口；底座上設(shè)有凹槽，底座的另一端設(shè)有電纜孔；電纜孔內(nèi)設(shè)有電纜；凹槽內(nèi)設(shè)有轉(zhuǎn)接組件，轉(zhuǎn)接組件上設(shè)有敏感組件；轉(zhuǎn)接組件包括支撐體，支撐體上設(shè)有下導(dǎo)流孔及導(dǎo)電柱；敏感組件包括固支體及硅片；硅片上設(shè)有金屬層，硅片的下部凹設(shè)有彈性槽，彈性槽間形成凸臺，凸臺上設(shè)有上電極；固支體上設(shè)有導(dǎo)流孔；固支體兩端的表面及上導(dǎo)流孔的內(nèi)壁形成下電極；下電極及金屬層分別通過內(nèi)引線與支撐體上對應(yīng)的導(dǎo)電柱電連接；導(dǎo)電柱分別與連接導(dǎo)線電連接。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，一致性好、成本低廉、結(jié)構(gòu)簡單、易于和后續(xù)電路集成在一起，進(jìn)行信號調(diào)理、轉(zhuǎn)換及網(wǎng)絡(luò)化；適用范圍廣。