一種生長銅基多層石墨烯的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810759667.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108706574A 公開（公告）日 2018-10-26
申請公布號 CN108706574A 申請公布日 2018-10-26
分類號 C01B32/186 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 黃孟瓊;李璐;屈曉蘭 申請（專利權(quán)）人 無錫市惠誠石墨烯技術(shù)應(yīng)用有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黃冠華
地址 214000 江蘇省無錫市惠山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)堰新路311號1號樓0120室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種生長銅基多層石墨烯的方法，包括如下步驟：(1)對銅箔基底進(jìn)行預(yù)處理后放入支架中；(2)在支架的外面包覆一層金屬箔；(3)將上述包覆金屬箔的支架放入真空系統(tǒng)進(jìn)行退火處理；(4)通入含碳?xì)怏w反應(yīng)30?60min，降溫后在銅箔的表面即形成多層石墨烯。本發(fā)明由于采用低壓氣相沉積法生長銅基石墨烯，安全性好、生長速度快；在支架的外面包覆一層金屬箔可以提高對含碳?xì)怏w的催化分解效率，使碳原子的濃度增加，同時抑制銅箔基底的蒸發(fā)，有助于形成多層石墨烯。采用本發(fā)明的方法操作簡單易行、外層包覆金屬箔可以重復(fù)使用，不額外增加能耗，可形成高質(zhì)量、高多層率的石墨烯。