一種晶體硅太陽能電池的擴散工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310338042.1 申請日 -
公開（公告）號 CN103367551B 公開（公告）日 2015-08-19
申請公布號 CN103367551B 申請公布日 2015-08-19
分類號 H01L31/18(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 付少劍;蔣文杰;何偉;劉聰;苗成祥;魏青竹;保羅 申請（專利權(quán)）人 泗陽騰暉光電有限公司
代理機構(gòu) 蘇州華博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中利騰暉光伏科技有限公司;蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司
地址 223800 江蘇省宿遷市泗陽縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)眾興東路211號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池的擴散工藝，主要涉及晶體硅太陽能電池生產(chǎn)過程中液態(tài)磷源擴散法P-N結(jié)的制備，其特征在于，進舟后首先在擴散工序的升溫的過程中通少量氧氣，形成一層二氧化硅薄層，使得沉積在硅片表面的磷原子必須通過二氧化硅層這層薄膜才能擴散進入硅片，從而達到均勻擴散的效果，然后先高溫通源沉積，可以快速有效的溶解金屬沉淀和金屬復(fù)合體，再進行降溫僅通氮氣，再進行補源二次低溫通源沉積，極大地增加了吸雜的驅(qū)動力，最后再進行推進、冷卻，采用本發(fā)明工藝，能夠有效提升太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，極大縮短生產(chǎn)時間，提升生產(chǎn)產(chǎn)能，節(jié)省磷源使用量，降低生產(chǎn)成本，且工藝簡單可行，不需要增加額外工序步驟和物料。