一種晶體管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810928300.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109119473B 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN109119473B 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 南京棠邑科創(chuàng)服務(wù)有限公司
代理機構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 任立
地址 211500 江蘇省南京市六合區(qū)雄州街道王橋路59號裙樓214室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種新型半導(dǎo)體晶體管及其制造方法，所述晶體管包括：襯底，所述襯底上設(shè)有一源區(qū)、一漏區(qū)以及連通所述源漏區(qū)的溝道區(qū)；一柵結(jié)構(gòu)，所述柵結(jié)構(gòu)是垂直結(jié)構(gòu)，在晶體管開啟時，源極的電子，順著體內(nèi)垂直多晶硅柵的兩側(cè)向漏極水平流動，從而實現(xiàn)將位于器件表面的單一平面溝道轉(zhuǎn)移到溝槽側(cè)壁成為多條導(dǎo)電溝道的目的，本發(fā)明相比較傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)具有更低的導(dǎo)通電阻，更高的電流驅(qū)動能力。