一種充放電MOS保護(hù)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201922303131.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN211880112U 公開(kāi)(公告)日 2020-11-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN211880112U 申請(qǐng)公布日 2020-11-06
分類號(hào) H02J7/00(2006.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 禹成海 申請(qǐng)(專利權(quán))人 蘇州妙益科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)05幢(NW-05)401室和501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型一種充放電MOS保護(hù)電路,包括電池以及保護(hù)電路,所述保護(hù)電路包括電流取樣電阻RS、放電控制mosQD、充電控制mosQC,還包括放電mos保護(hù)穩(wěn)壓管ZD、放電mos保護(hù)電容CD、充電mos保護(hù)穩(wěn)壓管ZC、充電mos保護(hù)電容CC,其中所述電流取樣電阻RS用于CPU測(cè)量電流,所述放電mos保護(hù)穩(wěn)壓管ZD以及充電mos保護(hù)穩(wěn)壓管ZC提供限壓保護(hù),本實(shí)用新型放電mos保護(hù)電容CD以及充電mos保護(hù)電容CC具有吸收尖峰能力,與放電mos保護(hù)穩(wěn)壓管ZD以及充電mos保護(hù)穩(wěn)壓管ZC配合保護(hù)mos管,切斷越快、反壓越高,mos切斷后,利用對(duì)電容的充放電,降低電流變化率,進(jìn)而降低反壓。??