太赫茲開關(guān)及太赫茲波光信號控制方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110611221.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113359329A | 公開(公告)日 | 2021-09-07 |
申請公布號 | CN113359329A | 申請公布日 | 2021-09-07 |
分類號 | G02F1/015(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
發(fā)明人 | 劉力源;劉敏;劉劍;吳南健;劉朝陽;祁峰 | 申請(專利權(quán))人 | 中國科學(xué)院沈陽自動化研究所 |
代理機(jī)構(gòu) | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 周天宇 |
地址 | 100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種太赫茲開關(guān)及太赫茲波光信號控制方法,太赫茲開關(guān)包括:MOS器件單元(003)和偏置電壓(004);其中,偏置電壓(004)用于調(diào)節(jié)MOS器件單元(003)的電位,使MOS器件單元(003)中產(chǎn)生反型層(0038),反型層(0038)用于阻斷太赫茲波光信號在MOS器件單元(003)中的傳播。本發(fā)明的太赫茲開關(guān)通過調(diào)節(jié)偏置電壓的大小,可以在MOS器件單元中產(chǎn)生阻斷太赫茲波的反型層,進(jìn)而控制太赫茲波在MOS器件單元中的傳播。 |
