一種降低區(qū)熔POLY背封單拋片邊緣晶孔的加工工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910917213.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110718457B 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN110718457B 申請公布日 2022-07-08
分類號 H01L21/304（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王虎;武衛(wèi);楊夢晨;鄧碧鑫;石明;孫晨光 申請（專利權(quán)）人 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津?yàn)I海科緯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 300384天津市濱海新區(qū)高新區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰東路12號內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種降低區(qū)熔POLY背封單拋片邊緣晶孔的加工工藝，對酸腐片依次進(jìn)行POLY背封、減薄和拋光，并對減薄后的清洗工序進(jìn)行了優(yōu)化匹配。本發(fā)明將減薄工序調(diào)整到POLY背封工序后，可將POLY背封過程產(chǎn)生的晶孔現(xiàn)象大大降低，本發(fā)明與現(xiàn)有工藝相比，加工步驟一樣，加工成本未增加，大大提高了成品合格率，具有很高的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。