一種蒸發(fā)源裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110645989.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113416932A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113416932A 申請公布日 2021-09-21
分類號 C23C14/26（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張耀輝;宗璐 申請（專利權(quán)）人 合肥聯(lián)頓恪智能科技有限公司
代理機構(gòu) 泉州企記知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 許壽寧
地址 230601安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)青龍?zhí)堵樊a(chǎn)業(yè)園研發(fā)樓D1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種蒸發(fā)源裝置，包括可加熱的容器和對容器進行加熱的加熱源，所述容器具有一開口，其開口處具有一用于封住開口的頂蓋，所述頂蓋中部具有一連通容器內(nèi)部的通道，該通道構(gòu)成一噴嘴，所述頂蓋內(nèi)具有若干層沿頂蓋軸向布置且環(huán)繞在通道周側(cè)的反射板。所述通道上部呈上大下小的敞口狀。所述反射板具有環(huán)繞通道的通孔，所述反射板的通孔的口徑從上至下依次減小。本裝置噴嘴不易堵塞、使用安全。