一種ALD沉積裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110802549.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113529055A 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN113529055A 申請公布日 2021-10-22
分類號 C23C16/455 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張耀輝;宗璐 申請（專利權(quán)）人 合肥聯(lián)頓恪智能科技有限公司
代理機構(gòu) 泉州企記知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 許壽寧
地址 230601 安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)青龍?zhí)堵樊a(chǎn)業(yè)園研發(fā)樓D1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種ALD沉積裝置及方法，包括輸氣總管，所述輸氣總管的入口處連接有若干根用于輸入前驅(qū)體或清潔體的進氣管，所述輸氣總管的出口處連接有若干根出氣管，所述出氣管的出口處連接有至少一個噴嘴，所述噴嘴均布在同一平面內(nèi)，該平面內(nèi)位于中部的噴嘴的流量大于位于外周側(cè)的噴嘴的流量，以使噴向基板的前驅(qū)體始終保持由基板中間往其邊緣流動的趨勢。本裝置循環(huán)時間短、適用于大尺寸基板的原子層沉積。