一種對稱門極氮化鎵器件及其并聯(lián)結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202121527454.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN215183941U | 公開(公告)日 | 2021-12-14 |
申請公布號 | CN215183941U | 申請公布日 | 2021-12-14 |
分類號 | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 傅玥;孔令濤 | 申請(專利權(quán))人 | 南京芯干線科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 殷海霞 |
地址 | 210000江蘇省南京市中國(江蘇)自由貿(mào)易試驗區(qū)南京片區(qū)研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號孵鷹大廈2404室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及一種對稱門極氮化鎵器件,其特征在于,包括:器件框架,在所述器件框架上形成有門極、開爾文源極和漏極;所述門極和開爾文源極設(shè)置在所述器件框架的其中一端,所述漏極設(shè)置在器件框架的另一端;所述門極和開爾文源極均設(shè)置有兩個;所述器件框架的其中一端依次設(shè)置有所述門極、開爾文源極、開爾文源極和門極,以形成對稱式管腳結(jié)構(gòu)。使用對稱門極設(shè)計,就氮化鎵器件本身而言,讓其內(nèi)部發(fā)熱更加均衡,提升芯片承受電流的能力的同時帶來更好的可靠性。 |
