一種對(duì)稱門極氮化鎵器件及其并聯(lián)結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202121527454.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN215183941U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN215183941U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-14 |
| 分類號(hào) | H01L23/495（2006.01）I;H01L23/49（2006.01）I;H01L25/16（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 傅玥;孔令濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京芯干線科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州市中南偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 殷海霞 |
| 地址 | 210000江蘇省南京市中國(guó)（江蘇）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)南京片區(qū)研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號(hào)孵鷹大廈2404室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種對(duì)稱門極氮化鎵器件，其特征在于，包括：器件框架，在所述器件框架上形成有門極、開(kāi)爾文源極和漏極；所述門極和開(kāi)爾文源極設(shè)置在所述器件框架的其中一端，所述漏極設(shè)置在器件框架的另一端；所述門極和開(kāi)爾文源極均設(shè)置有兩個(gè)；所述器件框架的其中一端依次設(shè)置有所述門極、開(kāi)爾文源極、開(kāi)爾文源極和門極，以形成對(duì)稱式管腳結(jié)構(gòu)。使用對(duì)稱門極設(shè)計(jì)，就氮化鎵器件本身而言，讓其內(nèi)部發(fā)熱更加均衡，提升芯片承受電流的能力的同時(shí)帶來(lái)更好的可靠性。 |
