一種便于散熱的氮化鎵功率器件
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202122293311.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN216054669U | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-03-15 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN216054669U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-15 |
分類號(hào) | H01L23/367(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 傅玥;孔令濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 南京芯干線科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蘇州市中南偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 吳竹慧 |
地址 | 210000江蘇省南京市中國(guó)(江蘇)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)南京片區(qū)研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號(hào)孵鷹大廈2404室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種便于散熱的氮化鎵功率器件,包括:氮化鎵芯片,其上設(shè)置有芯片門極、芯片源極和芯片漏極;引線框架,其位于氮化鎵芯片的一側(cè),所述引線框架上的門極與所述芯片門極之間通過(guò)金屬線連接,所述引線框架上的源極與芯片源極之間通過(guò)金屬線連接,所述引線框架上的漏極與所述芯片漏極之間通過(guò)金屬夾連接;殼體,其用于封裝氮化鎵芯片,所述金屬夾包括封裝部和散熱部,所述封裝部被封裝在所述殼體內(nèi)側(cè),所述散熱部暴露在所述殼體外側(cè)。其散熱效果好,安全可靠,能夠適用于中大功率領(lǐng)域。 |
