一種寬禁帶半導體模塊的封裝結(jié)構(gòu)以及封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210278514.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114649288A 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN114649288A 申請公布日 2022-06-21
分類號 H01L23/49（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許彪;傅玥;孔令濤 申請（專利權(quán)）人 南京芯干線科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 210000江蘇省南京市江寧區(qū)菲尼克斯路70號總部基地34棟1403室（江寧開發(fā)區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種寬禁帶半導體模塊的封裝結(jié)構(gòu)以及封裝方法，包括：半導體模塊，半導體模塊包括氮化物芯片、二極管、若干打線盤、焊盤和管腳；氮化物芯片和二極管通過打線和鋪銅走線的方式連接在一起，固定于襯底板上；打線盤通過打線方式連接對應的焊盤，該焊盤通過管腳引出；管腳通過焊盤固定在所述襯底板上下端。本發(fā)明通過打線和鋪銅走線的方式將氮化物芯片和二極管連接并固定襯底板上，避免因氮化物芯片與二極管導線較長而產(chǎn)生寄生效應，提高了半導體模塊的穩(wěn)定性；氮化物芯片和二極管底部利用鋪銅走線，銅的導熱系數(shù)高，便于熱傳導，直接將半導體模塊的熱量通過銅傳遞到下層的襯底板，更好的進行散熱。同時這種設計還節(jié)省了空間，便于后續(xù)半導體器件的制備。