一種新型可反向?qū)ǖ壒β势骷?/p>
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202220251472.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN216849941U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216849941U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-28 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L25/18（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/49（2006.01）I;H01L23/02（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 傅玥;孔令濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京芯干線科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州市中南偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215100江蘇省南京市江寧區(qū)菲尼克斯路70號(hào)總部基地34棟1403室（江寧開(kāi)發(fā)區(qū)） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新型可反向?qū)ǖ壒β势骷?，包括框架，框架的一端設(shè)有若干個(gè)門(mén)極以及開(kāi)爾文源極，框架的另一端設(shè)有漏極；散熱板，散熱板設(shè)于框架上；氮化鎵芯片，氮化鎵芯片設(shè)于散熱板上，其中包括源極打線盤(pán)、漏極打線盤(pán)以及若干個(gè)門(mén)極打線盤(pán)，源極打線盤(pán)與開(kāi)爾文源極相連，漏極打線盤(pán)與漏極相連，門(mén)極打線盤(pán)與門(mén)極相連；二極管，二極管設(shè)于散熱板上，二極管設(shè)有陰極打線盤(pán)，陰極打線盤(pán)與漏極相連。本實(shí)用新型能夠縮短并聯(lián)器件之間的導(dǎo)線長(zhǎng)度，從而減小因?yàn)镻CB走線帶來(lái)的寄生電阻和電感，避免影響整個(gè)模塊的性能。 |
