一種氮化鎵半橋模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121609903.1 申請日 -
公開（公告）號 CN215420956U 公開（公告）日 2022-01-04
申請公布號 CN215420956U 申請公布日 2022-01-04
分類號 H05K1/18（2006.01）I;H05K7/20（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 傅玥;孔令濤 申請（專利權(quán)）人 南京芯干線科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 殷海霞
地址 210000江蘇省南京市中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗區(qū)南京片區(qū)研創(chuàng)園團結(jié)路99號孵鷹大廈2404室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種氮化鎵半橋模塊，包括封裝體，其內(nèi)部封裝有第一氮化鎵芯片和第二氮化鎵芯片；所述第一氮化鎵芯片和第二氮化鎵芯片并行設(shè)置在同一平面上，所述第一氮化鎵芯片和第二氮化鎵芯片相互連接形成半橋架構(gòu)；所述封裝體的頂部設(shè)置有散熱板，所述散熱板與所述半橋架構(gòu)聯(lián)結(jié)。其能夠?qū)深w氮化鎵器件集成在同一個封裝中，減少所占用的PCB板的面積；同時通過散熱板為氮化鎵半橋模塊提供有效散熱。