一種氮化鎵半橋模塊
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202121609903.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN215420956U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN215420956U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-04 |
| 分類號(hào) | H05K1/18（2006.01）I;H05K7/20（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I | 分類 | 其他類目不包含的電技術(shù); |
| 發(fā)明人 | 傅玥;孔令濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京芯干線科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州市中南偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 殷海霞 |
| 地址 | 210000江蘇省南京市中國(guó)（江蘇）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)南京片區(qū)研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號(hào)孵鷹大廈2404室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種氮化鎵半橋模塊，包括封裝體，其內(nèi)部封裝有第一氮化鎵芯片和第二氮化鎵芯片；所述第一氮化鎵芯片和第二氮化鎵芯片并行設(shè)置在同一平面上，所述第一氮化鎵芯片和第二氮化鎵芯片相互連接形成半橋架構(gòu)；所述封裝體的頂部設(shè)置有散熱板，所述散熱板與所述半橋架構(gòu)聯(lián)結(jié)。其能夠?qū)深w氮化鎵器件集成在同一個(gè)封裝中，減少所占用的PCB板的面積；同時(shí)通過(guò)散熱板為氮化鎵半橋模塊提供有效散熱。 |
