一種氮化鎵功率器件及其封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111113297.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113707624A 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號 CN113707624A 申請公布日 2021-11-26
分類號 H01L23/367（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L23/49（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 傅玥;孔令濤 申請（專利權(quán)）人 南京芯干線科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 吳竹慧
地址 210000江蘇省南京市中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗區(qū)南京片區(qū)研創(chuàng)園團結(jié)路99號孵鷹大廈2404室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種氮化鎵功率器件及其封裝方法，包括：氮化鎵芯片，其上設置有芯片門極、芯片源極和芯片漏極；引線框架，其位于氮化鎵芯片的一側(cè)，所述引線框架上的門極與所述芯片門極之間通過金屬線連接，所述引線框架上的源極與芯片源極之間通過金屬線連接，所述引線框架上的漏極與所述芯片漏極之間通過金屬夾連接；殼體，其用于封裝氮化鎵芯片，所述金屬夾包括封裝部和散熱部，所述封裝部被封裝在所述殼體內(nèi)側(cè)，所述散熱部暴露在所述殼體外側(cè)。其散熱效果好，安全可靠，能夠適用于中大功率領域。