超晶格梯度能帶空穴勢壘層結(jié)構(gòu)以及紅外探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010997397.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112201712B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN112201712B 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/105（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉永鋒;張傳杰 申請（專利權(quán)）人 武漢高芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 胡建文
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)黃龍山南路6號2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及空穴勢壘層技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種超晶格梯度能帶空穴勢壘層結(jié)構(gòu)，包括n級超晶格層，每級超晶格層均包括由下向上依次生長的InAs層、第一GaSb層、AlSb層以及第二GaSb層，其中，所述InAs層的周期厚度為A，所述GaSb層的周期厚度為所述AlSb層的周期厚度為C，所述第二AaSb層的周期厚度為在第n級超晶格層中，x＝n?1，且在每級超晶格層中，總周期厚度A+B+C均相等。還提供一種紅外探測器，包括上述的超晶格梯度能帶空穴勢壘層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過改變各級超晶格層中AlSb層的插入位置，即處于處，即可實現(xiàn)能帶漸變，無需改變超晶格的周期厚度，維持各層生長總時間不變，勢壘層導(dǎo)帶偏移小，價帶偏移大，滿足空穴勢壘層的設(shè)計需求，結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)靈活，材料容易實現(xiàn)外延生長。