InAs/InSb應(yīng)變超晶格材料及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210149194.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114197055A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114197055A 申請公布日 2022-03-18
分類號 C30B29/68（2006.01）I;C30B25/18（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/0304（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 黃立;魏國帥;劉永鋒;吳佳;劉芊欒;王曉碧 申請（專利權(quán)）人 武漢高芯科技有限公司
代理機構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 胡建文
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)黃龍山南路6號2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種InAs/InSb應(yīng)變超晶格材料的制備方法，包括：S1，提供一襯底；S2，在所述襯底上外延生長緩沖層；S3，在所述緩沖層上外延生長若干個周期的InAs/InSb超晶格結(jié)構(gòu)，每個周期的InAs/InSb超晶格結(jié)構(gòu)包括InAs層和InSb層，其中，InAs層和InSb層的生長采用不同的In源爐。另外，本發(fā)明還提供基于該制備方法所獲得的InAs/InSb應(yīng)變超晶格材料。本發(fā)明在InAs/InSb超晶格結(jié)構(gòu)的生長過程中，采用兩個不同的In源爐，可以分別調(diào)整兩種In源的速度，使之分別適合于InAs層和較薄的InSb層的生長模式，從而有效避免了生長InAs/InSb超晶格時三維島狀結(jié)構(gòu)的形成，能顯著地提高InAs/InSb超晶格結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本，以及提高InAs/InSb應(yīng)變超晶格材料的質(zhì)量和性能。