紅外焦平面芯片及其制備方法、紅外焦平面探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111238177.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113690262B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN113690262B 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L27/146（2006.01）I;G01J5/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃立;凡陳玲;汪良衡;劉文波;金迎春;操神送;丁顏顏;劉斌;周文洪 申請（專利權(quán)）人 武漢高芯科技有限公司
代理機構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐俊偉
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)黃龍山南路6號2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種紅外焦平面芯片，包括襯底、紅外敏感層、于襯底上設(shè)置的讀出電路以及連接紅外敏感層的互連金屬，于紅外敏感層的n型區(qū)設(shè)抗反膜，紅外敏感層的p型區(qū)具有不透紅外光的金屬層，金屬層通過引線與公共電極地連接。還提供一種紅外焦平面探測器。還提供一種紅外焦平面芯片的制備方法。本發(fā)明可降低中心像素和邊緣像素Gpol工作點之間的電壓偏差，進而提高了探測器邊緣像素的成像質(zhì)量。另外采用p型區(qū)生長等電位的金屬，實現(xiàn)相同的等電位功效，避免了正面等電位加工工藝受限于平面結(jié)的局限性，和小像元芯片加工時等電位金屬和像元間短路而失效的風險，可實現(xiàn)光增強電信號，減小光串音的效果，避免擋光而降低探測器靈敏度。