一種功率半導(dǎo)體特性參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111098043.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113884850A 公開(kāi)（公告）日 2022-01-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN113884850A 申請(qǐng)公布日 2022-01-04
分類號(hào) G01R31/26（2014.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 王異凡;龔金龍;宋琦華;孫明;王一帆;駱麗;王尊;劉黎;邵先軍;王少華;陳虔;曾明全;李文燕;鄧志江;張斌;林氦;郭清;陳少華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江大學(xué)紹興微電子研究中心
代理機(jī)構(gòu) 浙江翔隆專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 許守金
地址 310014浙江省杭州市下城區(qū)朝暉八區(qū)華電弄1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種功率半導(dǎo)體特性參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)及方法，屬于半導(dǎo)體特性參數(shù)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的一種功率半導(dǎo)體特性參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，包括功率主回路、雙脈沖測(cè)試電路、電感阻隔電路。本發(fā)明設(shè)置輔助功率半導(dǎo)體對(duì)待測(cè)功率半導(dǎo)體的導(dǎo)通時(shí)間以及電路通斷進(jìn)行控制，并在功率半導(dǎo)體兩端設(shè)置吸收電容，能夠有效阻隔母線電容到測(cè)試半橋之間的部分寄生電感；同時(shí)功率主回路采用疊層母排結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)置，通過(guò)較小的回路面積大大降低了雜散電感，能夠以更低的電壓實(shí)現(xiàn)高電流承載。進(jìn)而本發(fā)明能夠有效減小電壓過(guò)沖疊加以及開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)能有效避免電磁干擾，使得本發(fā)明特別適用于對(duì)第三代半導(dǎo)體高壓SiC功率器件進(jìn)行高精度的動(dòng)態(tài)特性參數(shù)測(cè)試。