一種用于LED的氮化鎵基半導體的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611042629.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106601879B 公開（公告）日 2019-05-17
申請公布號 CN106601879B 申請公布日 2019-05-17
分類號 H01L33/00（2010.01）I; H01L33/06（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; B82Y30/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁沛明 申請（專利權(quán)）人 廣東泓?？萍加邢薰?/a>
代理機構(gòu) 北京華仁聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳市立洋光電子股份有限公司
地址 518108 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道上屋社區(qū)石環(huán)路202號創(chuàng)富科技園B棟廠房3-5層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于LED的氮化鎵基半導體的制備方法，該方法可以可以增加補充層提高量子阱的生長質(zhì)量，提高反向電壓，降低器件內(nèi)部漏電的同時，還利用In組分漸變的斜阱層，改變阱的禁帶寬度，以俘獲更多的電子和空穴，增大了電子與空穴的接觸面積，降低電子的運行速度，增大與空穴的接觸的有效電子數(shù)，提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。