一種LED外延片的制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201611042657.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN106653959B | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-07-02 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN106653959B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-07-02 |
分類號(hào) | H01L33/00(2010.01)I; H01L33/06(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 梁沛明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 廣東泓??萍加邢薰?/a> |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 528415 廣東省中山市小欖鎮(zhèn)榮華中路88號(hào)聚龍創(chuàng)意谷B幢307、308室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種LED外延片的制備方法,該方法可以進(jìn)一步減少發(fā)光面積損失,增加補(bǔ)充層提高量子阱的生長(zhǎng)質(zhì)量,提高反向電壓,降低器件內(nèi)部漏電的同時(shí),還利用In組分漸變的斜阱層,改變阱的禁帶寬度,以俘獲更多的電子和空穴,增大了電子與空穴的接觸面積,提高發(fā)光面積,降低電子的運(yùn)行速度,增大與空穴的接觸的有效電子數(shù)。 |
