一種具有高光效的LED制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201611042592.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106601878B 公開(kāi)（公告）日 2019-05-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN106601878B 申請(qǐng)公布日 2019-05-10
分類號(hào) H01L33/00（2010.01）I; H01L33/06（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; B82Y30/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁沛明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東泓?？萍加邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 北京華仲龍騰專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廣東天成之星照明科技有限公司
地址 528400 廣東省中山市古鎮(zhèn)曹二均都沙工業(yè)區(qū)曹安南路五街2號(hào)3-6層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有高光效的LED制備方法，該方法可以進(jìn)一步減少發(fā)光面積損失，增加補(bǔ)充層提高量子阱的生長(zhǎng)質(zhì)量，提高反向電壓，降低器件內(nèi)部漏電的同時(shí)，還利用In組分漸變的斜阱層，改變阱的禁帶寬度，以俘獲更多的電子和空穴，增大了電子與空穴的接觸面積，提高發(fā)光面積，降低電子的運(yùn)行速度，增大與空穴的接觸的有效電子數(shù)，提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。