一種單向負(fù)阻浪涌防護(hù)芯片的制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011476918.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112614782A | 公開（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申請公布號 | CN112614782A | 申請公布日 | 2021-04-06 |
| 分類號 | H01L21/329(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 崔丹丹;裘立強(qiáng);王毅 | 申請（專利權(quán)）人 | 揚(yáng)州杰利半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 揚(yáng)州市蘇為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 葛軍 |
| 地址 | 225008江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)創(chuàng)業(yè)園中路26號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種單向負(fù)阻浪涌防護(hù)芯片的制造方法。本發(fā)明涉及芯片加工領(lǐng)域，尤其涉及一種單向負(fù)阻浪涌防護(hù)芯片的制造方法。提供了一種在無需晶片片厚極限減薄的情況下，使產(chǎn)品具有負(fù)阻特性及低的正向接觸電壓的單向負(fù)阻浪涌防護(hù)芯片的制造方法。本發(fā)明在工作中，包含P型襯底原硅片；通過在P型硅襯底的兩側(cè)進(jìn)行淡磷摻雜形成N?擴(kuò)散區(qū)；在上側(cè)N?區(qū)進(jìn)行濃硼摻雜形成P+區(qū)，在下側(cè)N?區(qū)摻雜濃磷，形成N++區(qū)，同時下層N?區(qū)改變?yōu)镹+區(qū)，從而制得單向負(fù)阻浪涌防護(hù)芯片。本發(fā)明避免了封裝過程中晶片過薄而造成的應(yīng)力，提升產(chǎn)品可靠性。?? |
