一種低中壓臺面TVS產(chǎn)品的PN結(jié)鈍化工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011473058.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112582480A 公開（公告）日 2021-03-30
申請公布號 CN112582480A 申請公布日 2021-03-30
分類號 H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔丹丹;裘立強;王毅 申請（專利權(quán)）人 揚州杰利半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 揚州市蘇為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 葛軍
地址 225008江蘇省揚州市邗江區(qū)維揚經(jīng)濟開發(fā)區(qū)創(chuàng)業(yè)園中路26號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種低中壓臺面TVS芯片的PN結(jié)鈍化工藝。提供了一種生產(chǎn)成本低，有效提升TVS產(chǎn)品耐壓能力及可靠性的低中壓臺面TVS芯片的PN結(jié)鈍化工藝。包括以下步驟：S1、擴散；在晶片表面沉積一層磷和硼，形成P+?N?N+結(jié)構(gòu)；S2、選擇性光刻；將晶片區(qū)域化成晶粒，并在晶粒表面將待蝕刻的區(qū)域暴露出來，其它區(qū)域用光阻劑保護；S3、溝槽蝕刻；對晶粒表面暴露出來的區(qū)域進行蝕刻；S4、SIPOS膜；S5、絕緣鈍化；在SIPOS膜表面形成一層致密的SIO2膜；S6、電極面氧化膜去除；S7、金屬化：在晶片表面鍍一層電極金屬，加工完畢。本發(fā)明在工作中，將SIPOS膜鈍化與SiO2膜鈍化結(jié)合，在SIPOS膜沉積后，利用LPCVD在其表面繼續(xù)生長一層致密的SiO2膜，提升了產(chǎn)品能力。??