一種新型的GPP芯片藍(lán)膜加工方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911303878.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111092045A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-05-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111092045A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-05-01 |
| 分類號(hào) | H01L21/683;H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 周榮;廖智煒;李英男;王林;王毅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 揚(yáng)州杰利半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 揚(yáng)州市蘇為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 揚(yáng)州杰利半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 225008 江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)創(chuàng)業(yè)園中路26號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種新型的GPP芯片藍(lán)膜加工方法。本發(fā)明涉及芯片藍(lán)膜加工，尤其涉及一種新型的GPP芯片藍(lán)膜加工方法。提供了一種提高加工效率和品質(zhì)、降低應(yīng)力損傷的一種新型的GPP芯片藍(lán)膜加工方法。本發(fā)明預(yù)先采用激光半切穿：將晶圓沿蝕刻道半切穿，切割速度100?300mm/s，切割頻率30?90Khz，切割功率75%±15%，切割深度1/4?2/3，切割痕寬度20um?60um。然后將已經(jīng)半切穿的晶圓沿著切割痕裂成一顆顆散粒。將芯片分離成一顆顆晶粒后貼在藍(lán)膜上。本發(fā)明具有提高加工效率和品質(zhì)、降低應(yīng)力損傷等特點(diǎn)。 |
