一種半導(dǎo)體晶粒分離加工工藝
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110015869.3 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112542423A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-03-23 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112542423A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-23 |
分類號(hào) | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 周榮;李英男;陶永發(fā);王林;王毅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 揚(yáng)州杰利半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 揚(yáng)州市蘇為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 葛軍 |
地址 | 225008江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)創(chuàng)業(yè)園中路26號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種半導(dǎo)體晶粒分離加工工藝。提供了一種方便操作,提高工作效率和產(chǎn)品質(zhì)量的半導(dǎo)體晶粒分離加工工藝。包括以下步驟:S1、墨水打標(biāo);在晶片的不良品晶粒上打上黏性墨水;S2、烘烤;將晶片經(jīng)過(guò)60?120℃的高溫烘烤10?60min;S3、切割;通過(guò)激光切割晶片呈半切透狀;S4、壓片:在晶片的P面先涂上一層無(wú)水乙醇后,再將晶片放置在兩張麥拉紙之間,然后,進(jìn)行壓片,將晶片沿著切割痕裂成若干晶粒;S5、揭開(kāi)晶片P面的麥拉紙,帶走不良品晶粒;S6、完成。所述黏性墨水為印刷油墨。本發(fā)明節(jié)省了時(shí)間,降低了成本。?? |
