一種基于雙極性RRAM的非易失性觸發(fā)器
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202110271185.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112652342B | 公開（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請公布號 | CN112652342B | 申請公布日 | 2021-05-25 |
| 分類號 | G11C13/00(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 吳佳;李禮;吳葉楠 | 申請（專利權(quán)）人 | 浙江威固信息技術(shù)有限責(zé)任公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海氦閃專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李明;袁媛 |
| 地址 | 313200浙江省湖州市德清縣阜溪街道雙山路136號7幢402號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及觸發(fā)器相關(guān)設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種基于雙極性RRAM的非易失性觸發(fā)器，如摘要附圖所示，由PMOS晶體管1、PMOS晶體管2、PMOS晶體管3、PMOS晶體管4、PMOS晶體管5、NMOS晶體管1、NMOS晶體管2、NMOS晶體管3、NMOS晶體管4、NMOS晶體管5、限流電阻R1、限流電阻R2、限流電阻R3、限流電阻R4、參考電阻R5、反相器1、反相器2、反相器3、反相器4、阻變隨機存儲器RRAM組成，輸入端有電源VDD、地GND、輸入數(shù)據(jù)D和輸入時鐘PK，輸出端為輸出數(shù)據(jù)Q。本發(fā)明的基于雙極性RRAM的非易失性觸發(fā)器，解決了傳統(tǒng)觸發(fā)器在斷電后數(shù)據(jù)不能保存，恢復(fù)供電后之前存儲的數(shù)據(jù)不能恢復(fù)的問題。?? |
