功率MOSFET器件雪崩能量測(cè)試儀
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200910219513.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN101750539A | 公開（公告）日 | 2010-06-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN101750539A | 申請(qǐng)公布日 | 2010-06-23 |
| 分類號(hào) | G01R22/00(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 李志強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西安明泰半導(dǎo)體測(cè)試有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安弘理專利事務(wù)所 | 代理人 | 西安明泰半導(dǎo)體測(cè)試有限公司;西安明泰半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 710065 陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)路28號(hào)創(chuàng)業(yè)新大陸工業(yè)園B-1 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種功率MOSFET器件雪崩能量測(cè)試儀，包括前端雪崩測(cè)試電路和后端雪崩電流采樣電路，所述前端雪崩測(cè)試電路的硬件結(jié)構(gòu)是，包括可調(diào)直流電源，可調(diào)直流電源與保險(xiǎn)絲、MOSFET器件、電感、電流感應(yīng)器、待測(cè)MOSFET器件依次連接構(gòu)成回路；MOSFET器件的漏極與待測(cè)MOSFET器件的源極之間并聯(lián)有電解電容和瓷片電容；MOSFET器件的源極與待測(cè)MOSFET器件的源極之間連接有二極管；所述后端雪崩電流采樣電路的結(jié)構(gòu)是，信號(hào)調(diào)理電路和基準(zhǔn)源電路與模數(shù)轉(zhuǎn)換器連接，模數(shù)轉(zhuǎn)換器與FPGA控制邏輯連接，F(xiàn)PGA控制邏輯分別與測(cè)試機(jī)信號(hào)連接器、MOS驅(qū)動(dòng)電路和分選機(jī)信號(hào)連接器連接。本發(fā)明的測(cè)試儀能提供高瞬間電流進(jìn)行雪崩能量測(cè)試。 |
