功率MOSFET器件雪崩能量測試儀

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910219513.0 申請日 -
公開（公告）號 CN101750539B 公開（公告）日 2012-01-11
申請公布號 CN101750539B 申請公布日 2012-01-11
分類號 G01R22/00(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 李志強 申請（專利權(quán)）人 西安明泰半導體測試有限公司
代理機構(gòu) 西安弘理專利事務所 代理人 西安明泰半導體科技有限公司
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號創(chuàng)業(yè)研發(fā)園C區(qū)1號瞪羚谷E棟六層605
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種功率MOSFET器件雪崩能量測試儀，包括前端雪崩測試電路和后端雪崩電流采樣電路，所述前端雪崩測試電路的硬件結(jié)構(gòu)是，包括可調(diào)直流電源，可調(diào)直流電源與保險絲、MOSFET器件、電感、電流感應器、待測MOSFET器件依次連接構(gòu)成回路；MOSFET器件的漏極與待測MOSFET器件的源極之間并聯(lián)有電解電容和瓷片電容；MOSFET器件的源極與待測MOSFET器件的源極之間連接有二極管；所述后端雪崩電流采樣電路的結(jié)構(gòu)是，信號調(diào)理電路和基準源電路與模數(shù)轉(zhuǎn)換器連接，模數(shù)轉(zhuǎn)換器與FPGA控制邏輯連接，F(xiàn)PGA控制邏輯分別與測試機信號連接器、MOS驅(qū)動電路和分選機信號連接器連接。本發(fā)明的測試儀能提供高瞬間電流進行雪崩能量測試。