一種銅釩氧化物-FTO復(fù)合光電極及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210095975.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114481205A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114481205A 申請公布日 2022-05-13
分類號 C25B11/091（2021.01）I;C25B11/067（2021.01）I;C25B1/55（2021.01）I;C25B1/04（2021.01）I 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 蔣翔;曹靈峰;汪福憲 申請（專利權(quán)）人 廣東省科學(xué)院測試分析研究所（中國廣州分析測試中心）
代理機構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 -
地址 510641廣東省廣州市天河區(qū)五山路381號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種銅釩氧化物?FTO復(fù)合光電極及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的銅釩氧化物?FTO復(fù)合光電極的組成包括依次設(shè)置的FTO基底、第一銅釩氧化物層和第二銅釩氧化物層，第一銅釩氧化物層中Cu、V的摩爾比為5:2，第二銅釩氧化物層中Cu、V的摩爾比為1:2。本發(fā)明的銅釩氧化物?FTO復(fù)合光電極的制備方法包括以下步驟：1）配制不同Cu、V摩爾比的前驅(qū)體溶液；2）將不同Cu、V摩爾比的前驅(qū)體溶液依次沉積到FTO基底上，并進行煅燒，即得銅釩氧化物?FTO復(fù)合光電極。本發(fā)明通過在FTO基底上設(shè)置不同平帶電位的銅釩氧化物層，形成了Z型同質(zhì)結(jié)，最終使得光電極的整體電荷分離效率得到顯著提高。