一種具有雙間隔層并可形成鐵磁或反鐵磁耦合的多層膜

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710565827.0 申請日 -
公開（公告）號 CN107403821B 公開（公告）日 2020-01-10
申請公布號 CN107403821B 申請公布日 2020-01-10
分類號 H01L27/22;H01L43/08 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙巍勝;趙曉璇;彭守仲 申請（專利權(quán)）人 致真存儲（北京）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慧泉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京航空航天大學(xué)
地址 100191 北京市海淀區(qū)學(xué)院路37號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一種具有雙間隔層并可形成鐵磁或反鐵磁耦合的多層膜，至少包括第一鐵磁層、第二鐵磁層，在第一鐵磁層、第二鐵磁層之間，采用兩個間隔層使兩個鐵磁層通過層間耦合鐵磁或反鐵磁地耦合在一起；所述的多層膜為可呈現(xiàn)垂直磁各向異性，所述的多層膜為可呈現(xiàn)面內(nèi)磁各向異性，該多層膜從下到上依次是第二鐵磁層、第二間隔層、第一間隔層、第一鐵磁層；其所述的第一鐵磁層和第二鐵磁層指鐵磁材料形成的薄膜層，在同一結(jié)構(gòu)中，上下兩個鐵磁層可通過層間耦合作用，鐵磁或反鐵磁地耦合在一起，通過選取具有不同性質(zhì)的間隔層材料，使多層膜結(jié)構(gòu)具有不同的優(yōu)勢，可用于實(shí)現(xiàn)具有強(qiáng)磁各向異性、低阻尼系數(shù)、高隧穿磁阻比率值等優(yōu)點(diǎn)的自旋電子器件。