一種漏極共用的溝槽式雙MOS管器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821247424.8 申請日 -
公開（公告）號 CN208507674U 公開（公告）日 2019-02-15
申請公布號 CN208507674U 申請公布日 2019-02-15
分類號 H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 關(guān)仕漢; 薛濤; 遲曉麗 申請（專利權(quán)）人 芯派科技股份有限公司
代理機構(gòu) 淄博佳和專利代理事務(wù)所 代理人 孫愛華
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)天谷八路211號環(huán)普科技產(chǎn)業(yè)園E101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種漏極共用的溝槽式雙MOS管器件，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括襯底（19）、漂移區(qū)（18）以及溝槽（13），其特征在于：在溝槽（13）內(nèi)中部的多晶硅分為第一多晶硅（12）和第二多晶硅（14），在兩個溝槽（13）之間的MOS結(jié)構(gòu)上開設(shè)有底層接觸孔（6），在MOS結(jié)構(gòu)的表面設(shè)有連接層。還包括如下步驟：步驟1，第一次氧化及光刻；步驟2，第一次氧化物沉積；步驟3，第二次氧化；步驟4，第二道光刻；步驟5，第二次氧化物沉積；步驟6，在漂移區(qū)（18）上方形成MOS結(jié)構(gòu)；步驟7，形成連接層。在本漏極共用的溝槽式雙MOS管器件中，電流通過兩個MOS結(jié)構(gòu)之間的溝槽周圍形成的導(dǎo)電通道實現(xiàn)流通，降低了導(dǎo)通電阻。