一種電子注入增強(qiáng)型的高壓IGBT及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510375474.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105047705B 公開（公告）日 2018-04-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN105047705B 申請(qǐng)公布日 2018-04-27
分類號(hào) H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王彩琳;井亞會(huì) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯派科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安弘理專利事務(wù)所 代理人 王奇
地址 710048 陜西省西安市金花南路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種電子注入增強(qiáng)型的高壓IGBT，在n?硅襯底上方中間部位溝槽內(nèi)和兩側(cè)的平面部分設(shè)有柵氧化層，柵氧化層上方設(shè)有多晶硅層，稱為溝槽?平面柵極G；溝槽?平面柵極G兩側(cè)的n?硅襯底上各設(shè)有一個(gè)p基區(qū)，并通過柵氧化層與溝槽?平面柵極G隔離，每個(gè)p基區(qū)內(nèi)n+發(fā)射區(qū)上表面與所在p基區(qū)短路分別形成一個(gè)發(fā)射極E；n?漂移區(qū)上方與兩側(cè)p基區(qū)底部相接處設(shè)有分立的n載流子存儲(chǔ)層；n?漂移區(qū)下方依次設(shè)有n場(chǎng)阻止層、p+集電區(qū)、集電極C。本發(fā)明還公開了上述電子注入增強(qiáng)型的高壓IGBT制造方法。本發(fā)明的高壓IGBT結(jié)構(gòu)，顯著改善器件導(dǎo)通時(shí)的飽和電壓，阻斷電壓高、通態(tài)損耗低、閂鎖電流密度較高。