一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610382107.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105887201A 公開(kāi)（公告）日 2016-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN105887201A 申請(qǐng)公布日 2016-08-24
分類號(hào) C30B29/28(2006.01)I;C30B19/00(2006.01)I;C30B19/10(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 楊青慧;郝俊祥;張懷武;馬博;饒毅恒;田曉潔;賈利軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都威頻科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 電子科技大學(xué)專利中心 代理人 電子科技大學(xué);成都威頻科技有限公司
地址 611731 四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長(zhǎng)方法，本發(fā)明涉及石榴石厚膜的制備方法，具體提供一種石榴石單晶厚膜的液相外延間歇式生長(zhǎng)方法，首先制備熔體、清洗基片，并進(jìn)行薄膜試生長(zhǎng)，得到生長(zhǎng)速率隨生長(zhǎng)溫度變化的模擬曲線E和薄膜晶格常數(shù)隨生長(zhǎng)速率變化的模擬曲線F；然后進(jìn)行厚膜初次生長(zhǎng)，得到具有一定厚度的單晶石榴石薄膜，對(duì)初次生長(zhǎng)得到的薄膜進(jìn)行晶格失配測(cè)試，依據(jù)模擬曲線E、F調(diào)節(jié)薄膜生長(zhǎng)溫度進(jìn)行再次生長(zhǎng)；多次重復(fù)直到晶格匹配，在晶格匹配下生長(zhǎng)得到預(yù)設(shè)厚度。本發(fā)明通過(guò)間歇式生長(zhǎng)方式得到了單晶石榴石厚膜，該膜與基底之間的晶格匹配度良好，為單晶態(tài)；薄膜的結(jié)構(gòu)致密、表面平整，厚度可達(dá)100μm以上，是一種可應(yīng)用于微波及磁光器件中的良好材料。