一種深紫外發(fā)光二極管及其發(fā)光裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110727181.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113451493A 公開（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113451493A 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01L33/62（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/20（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 江賓;林素慧;彭康偉;臧雅姝;曾明俊;曾煒竣;陳思河 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門三安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361100福建省廈門市同安區(qū)洪塘鎮(zhèn)鎮(zhèn)民安大道841-899號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種深紫外發(fā)光二極管及其發(fā)光裝置，具有襯底、制作在襯底上的半導(dǎo)體層序列，襯底的厚度為300μm至900μm，至少部分第一金屬接觸電極比有源層更靠近發(fā)光二極管邊緣，即至少部分第一金屬接觸電極位于激光切割面和有源層之間，有源層與激光切割面最近的距離為30μm至100μm，第一金屬接觸電極和第二焊盤設(shè)置在豎直投影面上不重合，第二焊盤設(shè)置為U型，P焊盤半環(huán)繞的設(shè)置在第一金屬接觸電極外，兩側(cè)的部分第一金屬接觸電極與第二焊盤電極平行設(shè)置，第一金屬接觸電極的一端設(shè)置在第二焊盤開口內(nèi)，解決深紫外產(chǎn)品有源層容易被激光破壞的問題，降低激光對(duì)發(fā)光二極管特別是有源層造成的影響，同時(shí)提升封裝件中發(fā)光二極管的推力。