發(fā)光二極管芯片及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110630631.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113380940A | 公開(公告)日 | 2021-09-10 |
申請公布號 | CN113380940A | 申請公布日 | 2021-09-10 |
分類號 | H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 曾江斌;何安和;彭康偉;林素慧;張中英;劉鵬;詹宇;盧超;王慶;洪靈愿 | 申請(專利權)人 | 廈門三安光電有限公司 |
代理機構 | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 | 代理人 | 成亞婷 |
地址 | 361100福建省廈門市同安區(qū)洪塘鎮(zhèn)民安大道841-899號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本公開涉及一種LED芯片及其制備方法。所述LED芯片包括:襯底、外延結構、電極金屬層和共晶金屬層;其中,共晶金屬層的延伸率大于電極金屬層的延伸率,共晶金屬層的硬度小于電極金屬層的硬度。所述LED芯片能夠提升LED芯片的柔韌性,以降低LED芯片中共晶金屬層剝離的風險,提高LED芯片的使用可靠性;并且,還能增強LED芯片中電極金屬層的抗電遷移能力,以避免電極金屬層因長期工作發(fā)熱而出現(xiàn)功能退化或失效的問題。 |
