半導(dǎo)體發(fā)光二極管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110611314.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113363363A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113363363A 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) H01L33/20;H01L33/46;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱秀山;李燕 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門三安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361100 福建省廈門市同安區(qū)洪塘鎮(zhèn)鎮(zhèn)民安大道841-899號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光二極管，其包括半導(dǎo)體發(fā)光疊層，具有第一表面；透明導(dǎo)電層、第一絕緣層和金屬反射層在第一表面上方依次層疊；還包括第一絕緣層，第一絕緣層在透明導(dǎo)電層上具有相對(duì)的上表面和下表面，所述第一絕緣層的上表面分為上表面一、上表面二以及連接上表面一和上表面二的斜上表面；所述的斜上表面相對(duì)于所述上表面一傾斜角大于等于120°；所述上表面一相對(duì)于上表面二具有高低差，使上表面一與下表面之間的第一絕緣層的厚度小于上表面二與下表面之間的第一絕緣層的厚度。