一種半導(dǎo)體發(fā)光元件和發(fā)光裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110643648.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113363373A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113363373A 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類(lèi)號(hào) H01L33/62 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉鵬;盧超;曾江斌;何安和;洪靈愿;林素慧;黃敏;張中英 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廈門(mén)三安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361100 福建省廈門(mén)市同安區(qū)洪塘鎮(zhèn)鎮(zhèn)民安大道841-899號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件和發(fā)光裝置，其中所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件包括：半導(dǎo)體層和焊盤(pán)；半導(dǎo)體層包括：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和兩者之間的發(fā)光層；焊盤(pán)，包括第一焊盤(pán)、第二焊盤(pán)，位于半導(dǎo)體層上，第一焊盤(pán)、第二焊盤(pán)分別與第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層連接；焊盤(pán)包括含錫銀層，含錫銀層具有相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面相對(duì)第二表面更靠近半導(dǎo)體層，自第一表面開(kāi)始計(jì)算或者自第二表面開(kāi)始計(jì)算，D1厚度內(nèi)銀原子數(shù)相對(duì)于錫和銀的總原子數(shù)的原子百分比具有一個(gè)峰值，所述的D1厚度為大于0微米。通過(guò)在含錫銀層第一表面或者第二表面附近設(shè)置一層高銀含量的含錫銀層，減少錫與其它金屬擴(kuò)散形成的空洞，增強(qiáng)結(jié)合力。