微發(fā)光二極管、微發(fā)光元件及顯示器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110506934.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113328022A 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN113328022A 申請公布日 2021-08-31
分類號 H01L33/22（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;G09F9/33（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳政;李佳恩 申請（專利權(quán)）人 廈門三安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王立紅
地址 361100福建省廈門市同安區(qū)洪塘鎮(zhèn)民安大道841-899號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種微發(fā)光二極管、微發(fā)光元件及顯示器，該微發(fā)光二極管包括半導(dǎo)體堆疊層，半導(dǎo)體堆疊層具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面；第一表面包括粗糙部和平臺部，平臺部環(huán)繞于粗糙部的外圍，且粗糙部相對于平臺部向第二表面方向凹陷。本申請中平臺部主要是利用保護(hù)層預(yù)先覆蓋第一表面的部分區(qū)域并在對第一表面粗化過程中避免保護(hù)層所覆蓋的區(qū)域被移除或減薄而成，在形成平臺部時，若半導(dǎo)體堆疊層側(cè)壁有絕緣層，則能夠避免半導(dǎo)體堆疊層側(cè)壁處的絕緣層暴露在蝕刻流體下，從而避免絕緣層受到損傷而導(dǎo)致絕緣層失效，提高微發(fā)光二極管的可靠性及出光效率。