一種偏振發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610836776.6 申請日 -
公開（公告）號 CN106299085B 公開（公告）日 2019-04-30
申請公布號 CN106299085B 申請公布日 2019-04-30
分類號 H01L33/48（2010.01）I; H01L33/58（2010.01）I; H01L33/60（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙見國; 孫智江 申請（專利權(quán)）人 中投融資擔保海安有限公司
代理機構(gòu) 北京一格知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 海迪科（南通）光電科技有限公司
地址 226500 江蘇省南通市如皋市高新開發(fā)區(qū)光電科技產(chǎn)業(yè)園8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種偏振發(fā)光二極管芯片，是一種棱臺結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片，該棱臺結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片包括自下而上依次設置的蛾眼結(jié)構(gòu)增透層、周期性蛾眼結(jié)構(gòu)/第二介質(zhì)陣列層、以及具有完整結(jié)構(gòu)可以正常發(fā)光的光二極管芯片，所述棱臺結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片還包括在棱臺斜面及頂面上設置的金屬高反射層。本發(fā)明的優(yōu)點在于：本發(fā)明為棱臺結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片，進而形成斜面，且在斜面上設置金屬高反射層，能夠?qū)M向的光線反射后出射，從而減小光能的損失；通過在發(fā)光二極管芯片的出光面設置周期性蛾眼結(jié)構(gòu)/第二介質(zhì)陣列表面層，可以使發(fā)光二極管出射偏振光；同時，通過設置的蛾眼結(jié)構(gòu)增透層，提高光線的出射角，將原來發(fā)生全發(fā)射的光線出射。