一種改善半導體激光陣列光譜半寬的微通道熱沉

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911267011.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110957632B 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN110957632B 申請公布日 2021-09-03
分類號 H01S5/024 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅校迎;于振坤;郎超;冉維彬;耿琳;徐磊;陳曉華 申請（專利權）人 北京凱普林光電科技股份有限公司
代理機構 北京市隆安律師事務所 代理人 權鮮枝;楊博濤
地址 100070 北京市豐臺區(qū)航豐路甲4號5層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善半導體激光陣列光譜半寬的微通道熱沉，該微通道熱沉包括：自下而上依次設置的底層、進出液層、隔離層、換熱層和頂層；頂層表面用于安裝半導體激光陣列，在半導體激光陣列安裝區(qū)域的下方，換熱層設置有橫向分布的微通道陣列，微通道陣列從半導體激光陣列的后腔面向前腔面逐漸密集分布，微通道陣列的液體流向沿半導體激光陣列的慢軸方向，從微通道陣列的中間向兩側(cè)流動。本發(fā)明中微通道熱沉的結(jié)構設計減少了微通道熱沉的水阻，使得半導體激光陣列整體散熱性能提高，并且使兩側(cè)與中間溫度分布均勻，從而達到均勻散熱的目的，進而降低半導體激光器的光譜半寬。