一種底部帶TSV結(jié)構(gòu)的硅空腔結(jié)構(gòu)的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811593478.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110010547B 公開（公告）日 2021-06-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN110010547B 申請(qǐng)公布日 2021-06-15
分類號(hào) H01L21/768 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮光建 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江臻鐳科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州天昊專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 313100 浙江省湖州市長(zhǎng)興縣經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)陳王路與太湖路交叉口長(zhǎng)興國(guó)家大學(xué)科技園二分部北園8號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種底部帶TSV結(jié)構(gòu)的硅空腔結(jié)構(gòu)的制作方法，具體處理包括如下步驟：101）制作金屬柱步驟、102）制作空腔步驟、103）空腔處理步驟；本發(fā)明提供有利于后續(xù)的芯片粘接和接地，且本工藝制造流程簡(jiǎn)單，可以大大節(jié)省成本和制作時(shí)間的一種底部帶TSV結(jié)構(gòu)的硅空腔結(jié)構(gòu)的制作方法。