一種底部帶TSV結構的硅空腔結構的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811593478.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110010547B 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN110010547B 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01L21/768 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮光建 申請（專利權）人 浙江臻鐳科技股份有限公司
代理機構 杭州天昊專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 313100 浙江省湖州市長興縣經濟技術開發(fā)區(qū)陳王路與太湖路交叉口長興國家大學科技園二分部北園8號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種底部帶TSV結構的硅空腔結構的制作方法，具體處理包括如下步驟：101）制作金屬柱步驟、102）制作空腔步驟、103）空腔處理步驟；本發(fā)明提供有利于后續(xù)的芯片粘接和接地，且本工藝制造流程簡單，可以大大節(jié)省成本和制作時間的一種底部帶TSV結構的硅空腔結構的制作方法。